V001 / IJS / T655

Arhiv novic

Z namenom vključitve različnih funkcionalnosti oksidov prehodnih kovin v sodobno elektroniko je nujno integrirati oksidne plasti z nadzorovanimi lastnostmi s silicijevo platformo. V sodelovanju z raziskovalci z Nizozemske, Belgije, Švice in Kitajske je doc. dr. Matjaž Spreitzer z Odseka za raziskave sodobnih materialov Instituta "Jožef Stefan" sodeloval pri razvoju nesimetrične heterostrukture LaMnO₃/BaTiO₃/SrTiO₃, izdelane na siliciju z nadzorom debeline plasti na nivoju osnovne celice. Z izkoriščanjem koherentne napetosti med sestavnimi plastmi so raziskovalci uspeli preprečiti razvoj dvoosne toplotne napetosti iz silicija ter stabilizirati plast BaTiO₃ z orientacijo v c osi in povečano tetragonalnostjo. Rezultate raziskave so objavili v ugledni reviji Nature Communications v članku z naslovom Signatures of enhanced out-of-plane polarization in asymmetric BaTiO₃ superlattices integrated on silicon. Delo je nastalo pod vodstvom prof. dr. Gertjan Kosterja, gostujočega znanstvenika Odseka za raziskave sodobnih materialov Instituta "Jožef Stefan".