## 12. februar 2024
[[V001/IJS/Arhiv|{{attachment:Rubrike/T856.jpg|Arhiv novic|width="350px"}}|&do=get]]

Dr. Urška Trstenjak z Odseka za raziskave sodobnih materialov Instituta "Jožef Stefan" je skupaj s kolegi iz raziskovalne skupine Electronic Materials (PGI-7) Forschungszentrum Jülich v reviji Advanced Functional Materials objavila članek z naslovom [[https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202309558|Heterogeneous Integration of Graphene and HfO₂ Memristors]]. V sklopu raziskave so z uporabo pulznega-laserskega nanašanja (PLD) uspešno sintetizirali tanke plasti !HfO₂ na predlogah grafen/SiO₂/Si s kvazi van der Waals rastjo. S podrobno analizo podatkov Ramanove spektroskopije so ugotovili, da so napake, ki se pojavijo v grafenu po nanosu !HfO₂, pretežno tipa sp² ter nastanejo zaradi visoke kinetične energije delcev v plazmi. Pokazali so, da je mogoče z zamenjavo kisika z argonom med PLD sintezo !HfO₂ ohraniti zadostno količino kisika v plasteh !HfO₂ ter hkrati visoko kakovost plasti grafena, ki lahko nato služi kot spodnja elektroda v memristorjih. Ugotovitve raziskave, da se grafen lahko uporablja za heterogeno integracijo kristalnih tankih filmov !HfO₂, pa so uporabne tudi pri snovanju drugih elektronskih naprav, ki vsebujejo grafen.