[[V001/IJS/Arhiv|{{attachment:Rubrike/T600.jpg|Arhiv novic|width="350px"}}|&do=get]]

V reviji Applied Physics Letters je izšel članek z naslovom [[https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0052311|Ultrafast non-thermal and thermal switching in charge configuration memory devices based on 1T-TaS₂]], katerega avtorji so Dragan Mihailović, Damjan Svetin, Igor Vaskivskyi, Rok Venturini, Benjamin Lipovšek in Anže Mraz z Odseka za kompleksne snovi Instituta "Jožef Stefan", Nanocentra, Fakultete za matematiko in fiziko in Fakultete za elektrotehniko Univerze v Ljubljani. <<BR>>V članku je predstavljen toplotni aspekt delovanja nove vrste spominske naprave, ki temelji na ultrahitrem preklapljanju med različnimi stanji konfiguracije naboja v kristalu 1T-!TaS₂. Podana je analiza časovne dinamike segrevanja spominskih naprav s pomočjo toplotnih simulacij pri različnih električnih vzbujanjih in z upoštevanjem točnih parametrov naprave. Rezultati simulacij nudijo dober vpogled v razmere med obratovanjem spominske naprave in so zelo pomembni pri nadaljnjem razvoju te tehnologije. Članek je izpostavljen tudi na naslovnici revije.