[[V001/IJS|{{attachment:Rubrike/T425.jpg|Slika|width="340px"}}|&do=get]]

Sodelavci Odseka za eksperimentalno fiziko osnovnih delcev IJS so skupaj s kolegi z ETH Zürich in Politehnike Milano predstavili novo napredno metodo preučevanja polprevodniških struktur, še posebej tistih z veliko energijsko režo.  Z uporabo dvofotonske absorpcije, ki poteka na skali femto sekund v zelo fokusiranem žarku svetlobe (energija fotonov<energijska reža), lahko prostorsko lokalizirano (3D) generirajo proste nosilce naboja. Njihovo gibanje v električnem polju influencira električni tok, ki ga zaznajo s hitro elektroniko. Analiza influenciranih tokov omogoča natančno prostorsko določitev lastnosti preučevanih polprevodniških struktur. V [[ https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.5090850 | članku ]] so s to metodo določili učinkovitost zbiranja naboja v monokristalnem diamantnem detektorja, določili prostorski profil električnega polja in le-tega povezali z rentgensko sliko kristala (2D).